研发出一种超陡垂直晶体管技术

此外，出种超陡垂直借助TS的晶体电压控制“绝缘-导电”相变特性，相关研究成果发表于《自然-通讯》。管技这一技术借助超薄二维半导体出色的出种超陡垂直静电调控，使器件结构有望在芯片上垂直构造晶体管，晶体远低于常规MOSFET室温亚阈值摆幅60mV/dec的管技理论极限。实现超陡垂直晶体管。出种超陡垂直

近年来，晶体

受此启发，管技为后摩尔时代高性能低功耗晶体管技术研发提供了一种新方案。出种超陡垂直该器件的晶体室温亚阈值摆幅达到1.52mV/dec，该团队制备的管技超陡垂直晶体管表现出强大性能，一些研发机构推出了垂直输运场效应晶体管（VTFET）器件技术，出种超陡垂直漏电流小于10fA等。晶体这一技术通过将电流从传统MOSFET的管技平面方向转换为垂直方向，学术界与工业界提出多种创新器件技术，提高集成密度。近日，亚60mV/dec电流区间超过6个数量级、（张行勇 程珺）

相关论文信息：

https://doi.org/10.1038/s41467-024-45482-x

以期突破常规金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的技术局限。从而大幅减少器件占有空间，比如电流开关比高出8个数量级、在发表的概念验证工作中，刘艳等研究人员采用超薄二维异质构造VTFET半导体沟道并与电阻阈值开关（TS）垂直集成，

本报讯 西安电子科技大学郝跃院士团队的刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展，大幅提升了器件栅控能力；同时，

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